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崗位要求
1. 工作地點：嘉興或長沙；
2. 進行IGBT、MOSFET、FRD等功率半導體器件的新產(chǎn)品工藝開發(fā)，流程制定以及實驗安排；
3. 協(xié)助器件研發(fā)和Fab團隊進行新產(chǎn)品從研發(fā)到量產(chǎn)的驗證和投產(chǎn)流程；
4. 量產(chǎn)產(chǎn)品的管理以及成品率管控工作。
任職要求：
1. 電子科學與技術(shù)，物理等相關(guān)專業(yè)，本科以上學歷，具有物理基礎(chǔ)和半導體器件基礎(chǔ)，優(yōu)秀應屆生也可考慮；
2. 具有Fab實際PIE/TD等工藝集成和開發(fā)經(jīng)驗者優(yōu)先；
3. 具有較強的溝通能力、獨立思考能力及團隊協(xié)作能力；
4. 學習能力較強，具有創(chuàng)新精神。